技术编号：7090340
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于忆阻器。具体涉及一种基于忆阻器的电位器。背景技术忆阻器(Memristor)是电阻、电容和电感之外的第四种基本的电路元件，1971年蔡少棠首次提出了忆阻器的概念并论证了其存在的科学依据。2008年HP实验室发现了一种具有记忆功能的纳米双端电阻，其电气特性与蔡少棠教授预测的忆阻器特性相符，从而证实了忆阻器的存在。由于忆阻器的阻值与流过忆阻器的电荷有关，即当电荷从一个方向流过时，电阻会增加，当电荷反方向流过时，电阻就会减小。根据忆阻器的这一特性可以设...
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