专利名称：一种基于忆阻器的电位器的制作方法
技术领域：
本发明属于忆阻器技术领域。具体涉及一种基于忆阻器的电位器。
背景技术：
忆阻器(Memristor)是电阻、电容和电感之外的第四种基本的电路元件，1971年蔡少棠首次提出了忆阻器的概念并论证了其存在的科学依据。2008年HP实验室发现了一种具有记忆功能的纳米双端电阻，其电气特性与蔡少棠教授预测的忆阻器特性相符，从而证实了忆阻器的存在。由于忆阻器的阻值与流过忆阻器的电荷有关，即当电荷从一个方向流过时，电阻会增加，当电荷反方向流过时，电阻就会减小。根据忆阻器的这一特性可以设计一种新的电位器。一直以来，电位器在电子电路中就得到了广泛的应用，例如，它可以用于校正系统中、也可以用来调节放大器内的偏移电压或者增益。机械式电位器是靠滑动端与静止端之间的相对滑动来改变电阻值的，其阻值拥有良好的线性度，但也存在一定的局限，比如机械磨损、电阻漂移、对振动和湿度敏感以及不易于控制等。数字电位器采用数字信号控制电位器滑动端的位置，采用集成电路工艺生产，具有很高的稳定性。但数字电位器的阻值为离散值，其精度有限，这在很大程度上限制了它的应用。
发明内容
本发明旨在克服上述电位器的缺陷，目的是提供一种阻值连续变化、易于控制和精度高的基于忆阻器的电位器。为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案是该电位器由第一模拟开关、忆阻器和第二模拟开关组成。第一模拟开关的输出端Yl与忆阻器的端子Rp连接，第一模拟开关的输入端Xl外接控制电路的输出端Vp ;第二模拟开关的输出端Y2与忆阻器的端子Rn连接，第二模拟开关的输入端X2外接控制电路的输出端Vn ;第一模拟开关的输入端Cl和第二模拟开关的输入端C2外接控制电路的输出端Vc，忆阻器的端子Rp和Rn为基于忆阻器的电位器对应的输出端A和B。由于采用上述技术方案，本发明采用第一模拟开关和第二模拟开关实现了基于忆阻器的电位器的阻值控制。当第一模拟开关和第二模拟开关均断开时，由于忆阻器两端的电压小于忆阻器的阈值电压，因而不会引起忆阻器的阻值变化；当第一模拟开关和第二模拟开关均闭合时，利用幅值高于忆阻器阈值电压的控制信号可以改变忆阻器的阻值，阻值的变化取决于施加在忆阻器两端的控制信号的极性和持续时间。因此，基于忆阻器的电位器具有阻值连续变化、易于控制和精度高的特点。
图I是本发明的一种结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式
对本发明做进一步的描述，并非对本发明保护范围的限制。一种基于忆阻器的电位器。该电位器的结构如图I所示，由第一模拟开关I、忆阻器2和第二模拟开关3组成。第一模拟开关I的输出端Yl与忆阻器2的端子Rp连接，第一模拟开关I的输入端Xl外接控制电路4的输出端Vp ;第二模拟开关3的输出端Y2与忆阻器2的端子Rn连接，第二模拟开关3的输入端X2外接控制电路4的输出端Vn ;第一模拟开关I的输入端Cl 和第二模拟开关3的输入端C2外接控制电路4的输出端Vc，忆阻器2的端子Rp和Rn为基于忆阻器的电位器对应的输出端A和B。本具体实施方式
采用第一模拟开关I和第二模拟开关3实现了基于忆阻器的电位器的阻值控制。当第一模拟开关I和第二模拟开关3均断开时，由于忆阻器两端的电压小于忆阻器的阈值电压，因而不会引起忆阻器的阻值变化；当第一模拟开关I和第二模拟开关 3均闭合时，利用幅值高于忆阻器阈值电压的控制信号可以改变忆阻器的阻值，阻值的变化取决于施加在忆阻器两端的控制信号的极性和持续时间。因此，本具体实施方式
具有阻值连续变化、易于控制和精度高的特点。
权利要求
1.一种基于忆阻器的电位器，其特征在于该电位器由第一模拟开关(I)、忆阻器(2)和第二模拟开关(3)组成；第一模拟开关(I)的输出端Yl与忆阻器(2)的端子Rp连接,第一模拟开关(I)的输入端Xl外接控制电路⑷的输出端Vp ;第二模拟开关(3)的输出端Y2与忆阻器⑵的端子Rn连接,第二模拟开关(3)的输入端X2外接控制电路(4)的输出端Vn ;第一模拟开关(I)的输入端Cl和第二模拟开关(3)的输入端C2外接控制电路(4)的输出端Vc，忆阻器 ⑵的端子Rp和Rn为基于忆阻器的电位器对应的输出端A和B。
全文摘要
本发明具体涉及一种基于忆阻器的电位器。其技术方案是该电位器由第一模拟开关(1)、忆阻器(2)和第二模拟开关(3)组成。第一模拟开关(1)的输出端Y1与忆阻器(2)的端子Rp连接，第一模拟开关(1)的输入端X1外接控制电路(4)的输出端Vp；第二模拟开关(3)的输出端Y2与忆阻器(2)的端子Rn连接，第二模拟开关(3)的输入端X2外接控制电路(4)的输出端Vn；第一模拟开关(1)的输入端C1和第二模拟开关(3)的输入端C2外接控制电路(4)的输出端Vc，忆阻器(2)的端子Rp和Rn为基于忆阻器的电位器对应的输出端A和B。本发明具有阻值连续变化、易于控制和精度高的特点。
文档编号H01C10/00GK102610345SQ20121010037
公开日2012年7月25日 申请日期2012年4月9日 优先权日2012年4月9日
发明者段宗胜, 甘朝晖, 蒋旻, 陈波 申请人:武汉科技大学