技术编号:7092667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型用于晶体管漏电流测试的半导体结构,包括半导体衬底,所述半导体衬底中包括有一第一掺杂类型的阱区;第一掺杂类型掺杂区和第二掺杂类型掺杂区,所述第一掺杂类型掺杂区和所述第二掺杂类型掺杂区均位于所述阱区的上表面;以及第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一掺杂类型掺杂区电连接,所述第二电极与所述第二掺杂类型掺杂区电连接。本实用新型中,所述阱区与所述第一掺杂类型掺杂区的掺杂类型相同,与所述第二掺杂类型掺杂区不同,从而使得所述阱区与第二掺杂类型掺杂区形成P...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。