技术编号:7098841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备,尤其涉及。背景技术静态随机存储器(SRAM)作为半导体存储器中的ー类重要产品,在计算机、通信、多媒体等高速数据交换系统中得到了广泛的应用。图I所示的是ー个90纳米以下的通常的SRAM単元的版图结构,包括有源区、多晶硅栅、和接触孔这三个层次,图中区域I所标示出来的为控制管(Pass Gate),该器件为ー NMOS器件,区域2所标示出来的为下拉管( PullDown M0S),该器件同样为ー NMOS器件,区域3所标示出来的为上拉管(P...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。