技术编号:7099974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件,更确切地说,涉及改良的沟槽栅功率器件和其制造方法。背景技术图I为传统沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 100的横截面图,该传统MOSFET具有已知的物理和执行特性以及,例如单元间距(cell pitch)、击穿电压能力、导通电阻(Rdson)、晶体管耐用度的局限。沟槽栅105延伸穿过P型阱106并且在n型外延层区104中终止。沟槽栅105包括沟槽侧壁和底部内衬的栅电介质114,以及凹进的栅极112。电介质层116...
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