技术编号:7100284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种LDMOS (横向双扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管及其制作方法。背景技术在双扩散MOS场效应晶体管(D-MOSFET)中,利用两次反型杂质扩散的结深之差来精确控制沟道长度。DMOS与CMOS器件结构类似,也有源、漏、栅等电极,但是漏端击穿电压闻。DMOS主要有两种类型,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管VDM0SFET(vertical double-diffused M0SFET)和横向双扩散金属氧化物半导体...
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