技术编号:7101761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种CMOS磁场传感器晶体管,特别涉及ー种双漏极型磁场感应晶体管结构的CMOS磁场传感器晶体管及其制作方法。背景技术霍尔效应已广泛用于磁场传感器的设计,特别是与标准CMOSエ艺的集成。目前常见的ー种做法是使用CMOS霍尔盘结构,即让偏置电流通过ー块方形半导体材料(如N阱电阻),当有磁场垂直加在半导体表面时,半导体两侧会产生电压差,从而实现了对磁场的感应。但是通常为获得较大的磁场感应灵敏度,CMOS霍尔盘需要提供较大的偏置电流,因此功耗比较大。除此...
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