技术编号:7101909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及半导体装置制作工艺,且特别是涉及用于制造包含阻障件抛光终止层(barrier polish stop layer)的集成电路的方法、以及依据这种方法所产生的集成电路。背景技术在前段(front end-of-the-line)工艺期间,多个半导体装置(例如,晶体管、电阻器、电容器、及类似者)是形成在半导体晶片(semiconductor wafer)上。在后段(BackEnd-of-the-Line, BeoL)工艺期间,该半导体装置彼此互...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。