技术编号:7102062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于20纳米以下的半导体存储器,具体涉及ー种集成阻变存储器的场效应晶体管结构的制造方法。背景技术阻变存储器的阻变存储层的电阻值在外加电压作用下具有高阻态和低阻态两种不用的状态,其可以分别用来表征“O”和“I”两种状态。在不同的外加电压条件下,阻变存储器的电阻值在高阻态和低阻态之间可以实现可逆转换,以此来实现信息的存储。阻变存储器具有制备简单、存储密度高、操作电压低、读写速度快、保持时间长、非破坏性读取、低功耗、与传统CMOS (即互补金属氧化物半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。