技术编号:7102705
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置相关申请的交叉引用通过引用将2011年6月28日提交的包括说明书、权利要求、附图和摘要的日本专利申请No. 2011-143100的公开整体并入这里。发明内容本发明涉及ー种具有垂直晶体管的半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置。背景技术半导体器件包括具有垂直晶体管的半导体器件。垂直晶体管例如用在控制高电流 的器件中。日本专利特开公开No. 2005-86140描述了垂直MOS晶体管的栅电极覆盖有NSG膜和B...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。