技术编号:7102733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及功率器件。更具体地说,本发明的实施例涉及垂直结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。背景技术同传统的双极性器件相比,垂直结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)普遍具有更加优越的功率开关特性。然而,垂直结构的功率MOSFET的导通电阻会随着击穿电压的升高而急剧增大,致使其无法应用于高电压场合。获得较低导通电阻且同时维持较高击穿电压的一个办法是使用“超结”结构。图I示出传统的具有超结结构的垂直n型MOSFET的示意...
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