技术编号:7102756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术,特别涉及具有介质槽和槽栅结构的低功耗半导体功率器件。背景技术功率MOSFET (metal oxide semiconductor Field-Effect Transistor)器件耐高压需要漂移区较长且漂移区掺杂浓度低,这使得比导通电阻Rm, sp随器件耐压BV按Rm,sp - BV2卜2 6的关系增加,导致功耗增大。平面栅VDMOS (vertical double diffusion metal oxide semicondu...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。