技术编号:7102995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件,确切地说涉及一种具有延伸介质槽和槽栅结构的低功耗半导体功率器件的制造方法。背景技术功率MOSFET是多子导电型器件,具有输入阻抗高、频率高、导通电阻具有正温度系数等诸多优点。这些优点使其在功率电子领域得到了广泛应用,大大提高了电子系统的 效率。器件耐高压需要漂移区较长且漂移区掺杂浓度低。然而,随着漂移区长度的增加和掺杂浓度的降低,导致器件的导通电阻(及供)增加,开态功耗增大。器件导通电阻兄《与击穿电压BV存在如下关系即Lur25。...
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