技术编号:7104192
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及,具体地涉及在栅极电极与沟道层之间的势垒层中包括低电阻区域的。背景技术在便携式电话等的移动通信系统中,近几年来强烈要求便携式通信终端小型化且强烈要求降低便携式通信终端的功耗。为了实现这些,例如,应该减小与天线开关相关的导通电阻(on-resistance) Ron。作为实际上用于天线开关的半导体器件之一,存在结型场效应晶体管(JPHEMT 结型赝晶高电子迁移率晶体管(junction pseudo-morphic highelectron mob...
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