技术编号:7107025
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件,涉及载流子储存槽栅双极型晶体管(Carrier Stored Trench Bipolar Transisitor,简称CSTBT)。背景技术高压功率半导体器件是功率电子的重要组成部 分,在诸如动力系统中的电机驱动,消费电子中变频等领域具有广泛的应用。在应用中,高压功率半导体器件需要具有低导通功耗,大导通电流,高电压阻断能力,栅驱动简单,低开关损耗等特性。绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Trans...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。