一种载流子储存槽栅双极型晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:7107025

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本发明属于功率半导体器件,涉及载流子储存槽栅双极型晶体管(Carrier Stored Trench Bipolar Transisitor,简称CSTBT)。背景技术高压功率半导体器件是功率电子的重要组成部 分,在诸如动力系统中的电机驱动,消费电子中变频等领域具有广泛的应用。在应用中,高压功率半导体器件需要具有低导通功耗,大导通电流,高电压阻断能力,栅驱动简单,低开关损耗等特性。绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Trans...
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