技术编号:7107302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,尤其涉及一种增强型半导体器件。背景技术第三代半导体材料氮化镓具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点,在电子器件方面,氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制作高温、高频、高压和大功率的半导体器件。由于AlGaN/GaN异质结构中存在较强的二维电子气,通常采用AlGaN/GaN异质结形成的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor ;HEMT)都是耗尽型器件,对于增强型器件则不易...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。