技术编号:7107499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,具体地涉及一种电阻随机存取。背景技术在非易失性存储器领域中,已经积极研究了闪速存储器、FeRAM (FerroelectricRandom Access Memory 铁电随机存取存储器)、MRAM (Magnetic Random Access Memory 磁性随机存取存储器)、0UM(Ovonic Unified Memory 奥弗辛斯基电效应统一存储器)、PRAM(Phase change Random Access Memory ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。