技术编号:7107570
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及一种采用应力记忆技术(SMT)制造半导体器件的方法。背景技术为了改善金属氧化物半导体(MOS)晶体管的性能,可以提高MOS晶体管的沟道区的导电性。例如,可以改变沟道区的晶格结构,以增加电荷载流子的迁移率并且从而提高沟道区的导电性。应力记忆技术(SMT)是可用于改变沟道区的晶格结构的技术之一。具体而言,SMT需要在即将形成MOS晶体管的沟道的沟道区附近形成非晶区以及在应力诱导层位于非晶区上的时间对非晶区进行退火。因此,非晶区在由应力诱导层施加应...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。