技术编号:7107778
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发存储器(Nonvolatilememory),具体涉及一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法。背景技术固态存储器件在现代信息社会中扮演着非常重要的角色,我们日常使用的电子产品中大都有它的存在。现有的存储器主要为DRAM和FLASH,随着半导体工业的不断发展,器件尺寸不断地缩小,存储器将会缩小到它的物理极限,特别是进入到22nm技术节点以后,已不能满足存储发展的需求。阻变存储器(RRAM)因其具有...
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