技术编号:7108077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。背景技术近年来,已经以使半导体器件中的布线小型化的趋势提出了多种半导体器件的结 构。专利文献I (日本未审查专利公开11-121612)描述了以下用于制造半导体器件的方法。首先,在半导体衬底上的层间绝缘膜中形成沟槽。随后,在沟槽内部填充金属。随后,以预定量蚀刻金属的一部分。结果,同时由相同金属作为整体结构形成下层布线以及柱状耦合部。这可以提供高可靠性的布线结构。专利文献专利文献I日本未审查专利公开11-...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。