技术编号:7108137
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及一种低功耗相变存储单元及其制备方法,特别是涉及一种。背景技术相变存储器技术是基于Ovshinsky在20世纪60年代末(Phys. Rev. Lett. , 21,1450 1453,1968)70 年代初(Appl. Phys. Lett. , 18,254 257,1971)提出的相变薄膜可以应用于相变存储介质的构想建立起来的,是一种价格便宜、性能稳定的存储器件。相变存储器可以做在硅晶片衬底上,其关键材料是可记录的相变薄膜、加...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。