技术编号:7108655
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请一般涉及制造半导体器件的方法。背景技术诸如MOSFET和JFET等半导体器件一般使用离子注入技术制得。然而,MOSFET存在一些与栅氧化层有关的可靠性和性能问题。与MOSFET不同,离子注入的JFET器件可使用自对准工艺制造,并且可设计为使其不会发生氧化物界面问题。不过,离子注入遗留了可能影响器件性能的残留损伤。另外,在SiC中,P型注入层比外延生长的P型层的电阻更高。注入也可能导致非突变的Pn结,可能造成难以精确测定临界器件参数。因此,仍然需要不涉...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。