技术编号:7109677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体设备的制造,尤其涉及具有嵌入式源极/漏极的晶体管的形成。背景技术在半导体设备制造领域,诸如例如晶体管的有源半导体设备通常是通过一般称为前道工序(FEOL)技术的过程制造或加工的。例如,晶体管可以是场效应晶体管(FET),更具体地,可以是互补型金属氧化物半导体(CMOS) FET。FET还可以是P型掺杂剂掺杂的PFET或者η型掺杂剂掺杂的NFET。近来,高k金属栅极(HKMG)半导体晶体管已经推出,因为它们比传统的聚-基(poly-ba...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。