技术编号:7123314
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)单元,尤其是涉及不需要分离电容的DRAM单元。背景技术 DRAM主要由于具有良好速度的高密度已普遍享有巨大的成功。在寻求甚至更高的密度方面,已发展了用于单个晶体管DRAM的技术。独立的单元设置在绝缘体上半导体(SOI)衬底中并仅需要单个晶体管,而废除了对过去常用在DRAM中的电容器的需要。由于不需要电容器,这些类型的DRAM单元还公知为无电容DRAM单元。在这种单个晶体管DRAM单元中,左浮置晶体管的体区,并因为...
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