技术编号:7123780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种根据各种铸造生产技术(foundry production technique)以及新颖的用于制造场控晶体管栅极结构(field transistor gate structure)的工艺来制造的场控晶体管栅极结构。背景技术由于制造半导体元件所需的设备的过高的成本,所以许多半导体公司将它们的半导体元件的实际制造外包(outsource)给专门的半导体铸造厂。虽然铸造厂可能拥有许多客户,每个客户需要很多种不同的半导体元件,但是,将典型地需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。