技术编号:7124177
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的领域是半导体处理。具体地,本发明涉及在同一衬底的应变层区域和无应变层区域中形成半导体器件。背景技术 形成在应变硅沟道上的半导体器件,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已经表现出在迁移率和性能方面提供显著的改善。还没有实现在用于嵌入DRAM应用的同一半导体芯片上成功地集成高性能的应变硅逻辑型MOSFET和诸如致密的、低漏电的动态随机存取存储器(DRAM)阵列的存储器,这是由于需要在DRAM阵列区域中保持高质量的、无缺陷的硅,而在逻辑支持(...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。