技术编号:7127246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地说,本发明涉及一种包括低介电常数材料的层间绝缘膜的半导体器件和该半导体器件的制造方法。背景技术 在半导体器件制造工艺中,在一片半导体晶片上形成许多元件,并将半导体晶片沿切割线(dicing lines)切成离散的LSI(大规模集成电路)芯片。在沿切割线的侧壁上,暴露许多层间绝缘膜的界面,这些膜是在形成元件的过程中放置的。这些界面常常是水分侵入的通道,产生半导体器件的诸如误操作及破裂等问题,损害其可靠性。切割时的应力,以及由于层间绝缘膜和...
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