技术编号:7128136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体装置,尤其涉及应用在IPM (Intelligent PowerModule,智能功率模块)中的、包含减少开启阻抗的IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)的半导体装置。背景技术如图I所示,在日本特开2007-165635号专利中公开了一种半导体装置,该半导体装置使用了一半导体衬底1,该半导体衬底I具有具有N型间隔区域31的沟槽栅型IGBT的活性层形成区域;具有沟槽2的第I外...
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