技术编号:7129641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的绝缘膜结构,特别是涉及具有对单晶衬底的表面进行热氧化而形成的绝缘膜的半导体器件。背景技术 利用场效应驱动MOSFET或IGBT等的具有绝缘栅型元件的半导体器件形成了具有在硅等的单晶衬底上形成的栅绝缘膜和在其上形成的栅电极的结构。栅绝缘膜对这类半导体元件的性能产生很大的影响,为了使器件的工作稳定,希望对电场的耐受性强(即绝缘耐压优越)而且膜厚薄。因此,作为栅绝缘膜,一般而言使用在膜品质和膜厚的均匀性方面优越的热氧化膜。例如,如果栅绝缘膜...
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