技术编号:7131531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于半导体集成电路或分离元器件的OTP器件。背景技术 在Stacked-Poly OTP器件(单层多晶硅一次可编程器件)设计中,一般在poly下采用普通沟道的晶体管结构。《A 4-Mbit CMOSEPROM》(IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,VOL.SC-22,NO.5,OCTOBER 1987)就介绍了这种结构的OTP器件。图1是采用该结构的OTP器件结构示意图。由此产生的问题是未编程的晶体管开启...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。