专利名称：Otp器件(四)的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于半导体集成电路或分离元器件的OTP器件。
背景技术：
在Stacked-Poly OTP器件(单层多晶硅一次可编程器件)设计中，一般在poly下采用普通沟道的晶体管结构。《A 4-Mbit CMOSEPROM》(IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS，VOL.SC-22，NO.5，OCTOBER 1987)就介绍了这种结构的OTP器件。图1是采用该结构的OTP器件结构示意图。由此产生的问题是未编程的晶体管开启电压过高。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种可有效降低未编程的晶体管开启电压的OTP器件。
为解决上述技术问题，本发明OTP器件，它采用本征晶体管结构，将晶体管直接长在P型硅衬底上。
由于采用这样的结构，未编程的晶体管开启电压将有效降低，从而解决Stacked-Poly OTP器件开启电压过高的问题。
图1是现有的OTP器件结构示意图；图2是本发明OTP器件结构示意图。
具体实施例方式
如图2所示，本发明OTP器件采用本征晶体管结构，将晶体管直接长在P型硅衬底上。
在Stacked-Poly OTP器件设计中，一般在poly下采用普通沟道的晶体管结构，本发明则采用本征晶体管结构来实现，使得性能上有如下改进(1)减小开启电压，解决一般Stacked-Poly OTP器件结构的开启电压过高问题。(2)开启电压的降低可以大大扩大电源电压的工作范围，使得设计更容易实现。
权利要求
1.一种OTP器件，其特征在于它采用本征晶体管结构，将晶体管直接长在P型硅衬底上。
全文摘要
本发明公开了一种OTP器件，它采用本征晶体管结构，将晶体管直接长在P型硅衬底上。本发明可以减小开启电压，解决一般Stacked－Poly OTP器件开启电压过高问题。开启电压的降低可以扩大电源电压的工作范围，使得设计更容易实现。
文档编号H01L27/115GK1627528SQ20031010923
公开日2005年6月15日 申请日期2003年12月10日 优先权日2003年12月10日
发明者徐向明 申请人:上海华虹Nec电子有限公司