专利名称：集成电路硅片表面颗粒清除方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路硅片表面颗粒清除方法。
背景技术：
半导体集成电路生产过程中必须将其硅片表面上的颗粒清除，否则会使制成的器件产生各种缺陷。
目前，清除集成电路硅片表面颗粒的方法主要有以下几种1.化学法，采用酸、碱、有机等药液将硅片表面的颗粒除去，这种方法需要大量的化学药液，在化学处理后又需要大量的离子水进行后洗净，使集成电路制造工厂成为用水大户，同时在环保上的投入也非常巨大。2.物理法，用刷子、超声波等物理方法将硅片表面的颗粒除去，这种方法也需要用大量的离子水。3.浸泡法，将一批或几批制成品同时至于处理槽中，用化学药液或离子水进行处理，这种方法会造成相互间的交叉污染。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种集成电路硅片表面颗粒清除方法，可以减少有害化学药液及水的使用量，有利环保，同时也比较经济。
为解决上述技术问题，本发明集成电路硅片表面颗粒清除方法包括如下步骤
1.在硅片表面设置一直流正电源或负电源，在硅片表面正对面设置一反电极；2.接通硅片表面的电源，使其表面及颗粒带上同一电荷；3.断开硅片表面的电源，接通反电极电源，将带电颗粒吸引到反电极上。
由于本发明采用静电方法将硅片表面的颗粒直接清除，不需要用化学药液和离子水，可以减少有害化学药液及水的使用量，有利环境保护，同时也比较经济。另外，在除去颗粒的过程中也不会造成制成品之间的交叉污染。
图1～3是本发明集成电路硅片表面颗粒清除方法的示意图。
具体实施例方式
如图1～3所示，本发明集成电路硅片表面颗粒清除方法包括如下步骤1.在硅片1表面设置一直流电源6，该直流电源6可为正电源，也可为负电源，在硅片1表面正对面设置一反电极2；2.接通硅片1表面的电源开关4，使其表面及颗粒7带上同一电荷；3.断开硅片1表面的电源开关4，接通反电极2的电源开关3，使反电极2与电源5相通，将带电后的颗粒7吸引到反电极2上。
权利要求
1.一种集成电路硅片表面颗粒清除方法，其特征在于它包括如下步骤(1)在硅片表面设置一直流正电源或负电源，在硅片表面正对面设置一反电极；(2)接通硅片表面的电源，使其表面及颗粒带上同一电荷；(3)断开硅片表面的电源，接通反电极电源，将带电颗粒吸引到反电极上。
全文摘要
本发明公开了一种集成电路硅片表面颗粒清除方法，该方法将硅片表面带电，使其表面及其颗粒带上同一电荷；在硅片表面正对面设置一反电极，将带电颗粒吸引到该反电极上，达到将颗粒清除的目的。本发明不需要用化学药液和离子水，可以减少有害化学药液及水的使用量，有利环境保护，同时也比较经济。
文档编号H01L21/02GK1627484SQ20031010922
公开日2005年6月15日 申请日期2003年12月10日 优先权日2003年12月10日
发明者倪立华 申请人:上海华虹Nec电子有限公司