技术编号:7131693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种分裂栅型沟槽功率MOS器件[0001]本实用新型涉及MOS器件版图边缘设计领域,具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。背景技术[0002]在20世纪九十年代,功率沟槽MOS场效应晶体管(Power Trench MOSFET)的发展和工业化技术的主要研究方向,主要在最小化低压功率器件的正向导通电阻(Ron)。今天, 功率沟槽MOS器件的结构已经适用于大多数功率MOSFET的应用中,并且器件的特性不断地接近硅...
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