技术编号:7137939
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体半导体器件以及半导体工艺,特别是涉及一种半导体器件。背景技术集成电路制造外延淀积工艺中,根据晶体学平面生长的平面异性,一般情况下新生长的单晶会严格沿着衬底的原有晶向依次排序生长,但在实际的半导体加工过程中,夕卜延前由于图形间台阶的形成,使外延前的表面不是完全平整,整个衬底表面的原子排列不是连续的,根据外延生长特性,这种表面不连续状态在外延淀积时会向上传播,外延上的图形(Pattern)会发生图形的位移,此图形位移称为外延漂移(Patte...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。