技术编号:7138976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般性地涉及一种金氧半(MOS)晶体管及其制造方法,并且特别涉及一种具有抬升的源极和漏极结构(elevated source and drain structure)的金氧半晶体管及其制造方法。背景技术 在半导体产业中,集成电路中金属氧化物半导体(MOS)晶体管部件尺寸的最小化是普遍的目标。这一目标主要受到对于在尽可能低的成本下制造集成电路、同时改善电路的功能性和速度的需求的驱动。尺寸的缩小可以通过减小晶体管的特征尺寸(例如减小栅极长度、栅极氧化物厚...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。