技术编号:7139543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有沿行方向及列方向分别排列配置多个非易失性存储单元,为了从其中选择规定的存储单元或存储单元组而沿行方向与列方向分别排列配置多根字线与多根位线所形成的存储单元阵列的非易失性半导体存储装置,更具体地讲,涉及存储单元具有利用电阻的变化存储信息的可变电阻元件的非易失性半导体存储装置。背景技术 对于具备钙钛矿结构的薄膜材料,特别是由重型磁致电阻(CMRcolossal magneto resistance)材料或高温超导(HTSChigh tempera...
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