技术编号：7139929
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种漏极开路电路的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)的结构，以及涉及一种采用这种MOSFET的半导体集成电路器件。更具体地，本发明涉及对漏极开路电路的MOSFET的耐压的改进。背景技术 传统上，如图4所示的漏极开路电路已经被广泛地用作半导体集成电路器件的输出电路。输入端101与漏极开路电路的N沟道MOSFET(此后称为“NMOS”)的栅极相连。NMOS 102的漏极与输出端103相连，而NMOS 102的源极接地。例如，将从设置在半导体集成电...
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