技术编号:7141934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到,更确切地说是涉及到一种用来制作具有场效应晶体管的半导体器件的有效技术。背景技术 作为装在半导体器件中的场效应晶体管,例如称为MISFET(金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)的绝缘栅场效应晶体管已是熟知的。由于MISFET具有适合于高集成度使用的特点,通常已用来作为构成集成电路的晶体管。MISFET的一般结构包含沟道形成区、栅绝缘膜、栅电极、源区和漏区。栅绝缘膜设在半导体衬底主表面上(器件的加工表面,电路的加工表面)的器件制作区中,例如由氧化硅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。