技术编号:7144112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体地,涉及制造可以确保适于高度集成半导体器件的电容且可以改善图形安全性的电容器的方法。背景技术 随着半导体器件朝高集成度的方向发展,通过传统工艺制造的柱形电容器对电容的确保具有限制。由于单元间距减小,电容器的截面积变小,因此必须越来越多地增加电容器的高度,以补偿缩小的截面积。然而,考虑到构图工艺,即使增加高度也受到一定的限制。而且,当形成柱形时,难以防止存储节点倾斜。下文中,将参考图1A~1H,说明按照现有技术制造半导体电容器的方法,该...
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