技术编号:7145152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及集成电路,更具体地,涉及绝缘体上的半导体结构及其制造方法。背景技术 晶体管和其他器件连接在一起形成电路,诸如大规模集成电路、超大规模集成电路、存储器和其他类型电路。随着晶体管尺寸的减小和器件紧密程度的增加,会出现有关寄生电容、断态漏电流(off state leakage)、功耗以及器件的其他特性方面的问题。在克服这些问题的尝试中已经提出了绝缘体上硅(SOI)结构。然而,因为在制造中难以生产出薄而均匀的半导体层,所以SOI结构的缺陷率很高。...
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