技术编号：7145509
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造半导体器件的方法，更具体地说，本发明涉及包含高k栅极电介质层的半导体器件。背景技术 具有非常薄的由二氧化硅制成的栅极电介质的MOS场效应晶体管可能出现不可接受的栅极漏电流。由某种高k电介质材料代替二氧化硅形成栅极电介质可以减小栅极漏电流。然而，这样的电介质可能与多晶硅—用于制造器件的栅电极的优选材料不兼容。将与很多高k栅极电介质相兼容的氮化钛薄层置于高k栅极电介质和基于多晶硅的栅电极之间可以使此电介质能与这样的栅电极共同使用。不幸的是，对...
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