技术编号:7145796
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可高度集成的非易失性的。背景技术 近年来,提出各种各样的半导体存储装置,作为其中一个例子,例如在特开平05-326893所公开的那样,在元件分离区域下具有位线的半导体存储元件由于容易进行高度集成而备受关注。下面参考图59(a)~(e)及图60说明在元件分离区域下具有位线的。首先如图59(a)所示,在硅衬底1上层叠捕获膜2后,如图59(b)所示,通过对硅衬底1以抗蚀剂图案3为掩膜离子注入杂质形成成为位线的杂质扩散层4,之后,对捕获膜2以抗蚀剂图案3...
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