技术编号:7145806
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种通过CVD(化学气相沉积)在半导体晶片等的被处理基板上形成包含金属元素的膜的方法。而且,这里,半导体处理的意思是通过在半导体晶片或者LCD基板等被处理基板上以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等,在该被处理基板上进行用于制造半导体元件或者包含与半导体元件连接的布线、电极等的构造物的各种处理。背景技术 形成多层布线构造的半导体元件通过例如在硅基板等的半导体晶片的表面上成膜,进行反复图案蚀刻来制造。例如,在硅基板和其上的布线层的连...
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