技术编号:7147767
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器领域,特别是涉及一种相变存储材料、其制备方法及基于该相变存储材料的相变存储单元。背景技术在半导体市场中,存储器(例如DRAM和FLASH)占有重要席位,随着便携式电子设备的逐步普及,非挥发性存储器的市场将会不断扩大,消费者们对存储器容量、速度等各方面的要求也会逐渐升高,而作为非挥发性存储器的主流存储器,FLASH技术的发展已经达到瓶颈,随着集成电路的不断发展,FLASH的技术弱点开始变得突出。写入速度慢,写入电压高、循环次数有限等缺点直接限...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。