技术编号：7148002
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用于2011年12月14日提交的日本专利申请N0.2011-273229，包括说明书、附图和摘要，通过引用其整体而合并于此。背景技术本发明涉及一种在互连层中具有晶体管的半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。日本未审专利申请公布N0.2010-141230描述了在互连层形成半导体膜和通过使用该半导体膜和该互连层的互连来形成晶体管。在该晶体管中，位于该半导体膜下方的互连用作栅电极，并且在该互连层之间的防扩散膜用作栅极绝缘膜。发明内容为了改进电...
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