技术编号:7148626
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池,具体地说涉及。背景技术减反膜制备技术是太阳能电池生产工艺中的关键技术之一,用PECVD制备的SiNx = H薄膜不仅具有降低硅片表面反射率的效果,而且SiNx = H膜中高浓度的氢还能提供良好的表面钝化和体钝化,能大大提高太阳能电池的光电转换效率。氢含量可通过SiNxH膜的折射率来控制随着氮化硅膜的折射率的增加,膜中吸附的氢的密度也呈上升趋势。但是,折射率越大,消光系数变大,光学损失也随之增大。 因此,为了整合这两方面的优缺点,目前研...
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