技术编号:7149102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过使基板依次地暴露于相互反应的至少两种反应气体而形成由反应生成物构成的膜的。背景技术伴随着半导体存储器的高集成化,大多采用一种将金属氧化物等高电介质材料用作电介质层的电容器。这样的电容器的电极由具有较大的功函数的例如氮化钛(TiN)形成。形成TiN电极能够通过这样的方法进行例如,如专利文献I所公开的那样,利用将例如氯化钛(TiCl4)和氨(NH3)用作原料气体的化学气相成膜(CVD)法,在高电介质层上形成TiN膜,并使其图案化。但是,从降低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。