一种自对准的外延接触孔结构及制备方法技术资料下载

技术编号:7149259

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本发明涉及集成电路制造,特别涉及。背景技术超大规模集成电路制造业一直遵循着摩尔定律,实现集成密度每1.5年翻一番。为了保证集成密度的持续提高,集成电路关键尺寸不断缩小,随之带来许多技术问题。其中,由各种电路源器件的临近效应引起的串扰或电磁作用已无法被忽略,并间接影响RC延迟。随着技术节点进入65nm及以下,金属互连的RC延迟已成为整个芯片RC延迟的主要部分之一。—方面,金属互连的最大RC延迟出现在硅表面和金属表面的电接触,业界普遍采用硅化物作为过渡层来降低...
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