技术编号:7149260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种利用场板提高横向或纵向高压半导体器件耐压的终端结构及其制备方法。背景技术随着人们对功率半导体器件模块的不断研究和开发,市场上出现了可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor, GTO)、双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Double-diffused MOSFET, DM0S),绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor, IGBT)等多种功率器件,...
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