技术编号:7153168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及处理有机电子(OE)器件、特别是有机场效应晶体管(OFET)中的电极的方法,通过该方法制备的器件,以及用于该方法中的材料和配制剂。背景技术有机场效应晶体管(OFET)用于显示器器件和逻辑能力电路中。已经使用不同的金属作为有机场效应晶体管中的源/漏电极。广泛使用的电极材料是金(Au),然而其的高成本和不利的加工性能已使焦点转移到可能的替代物,例如Ag、Al、Cr、Ni、Cu、Pd、Pt、Ni或Ti。铜(Cu)是Au的一种可能的替代电极材料,因为其具...
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